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Información de contacto

Dirección:ISOM, Universidad Politécnica de Madrid, E.T.S.I. Telecomunicación. Edificio López Araújo, Avenida Complu Teléfono:910672118 Página web: isom.upm.es Correo electrónico:

Equipo de Epitaxia por Haces Moleculares (Molecular Beam Epitaxy) (MBE) RIBER 32 para semiconductores basados en As-III

Consultar disponibilidad

Servicio Científico-Tecnológico del ISOM enmarcado en el área de investigación de Crecimiento de Muestras

Tipo de oferta tecnológica

ODS

Disponible desde: 2015

Equipo de Epitaxia por Haces Moleculares (Molecular Beam Epitaxy) (MBE)
RIBER 32 para semiconductores basados en As-III

Con este equipo se pueden fabricar estructuras de capas de
semiconductores basados en arseniuros del grupo III [GaAs(N,Sb),
InGaAs(N,Sb), AlGaAs(N,Sb)], con resolución atómica (capas atómicas
individuales de distintos materiales) y con un control muy preciso de la
planicidad y el espesor. Esto permite fabricar dispositivos de pozos
cuánticos y puntos cuánticos.


Descripción de los servicios que se ofrecen

Este equipo permite desarrollar muchos dispositivos diferentes, desde
emisores de luz (LED, LÁSER, Emisores de un solo fotón), filtros,
moduladores, diodos, transistores o detectores de luz. Es el equipo
básico donde se fabrica el material que se emplea en el resto de los
procesos y por lo tanto es el inicio de toda la cadena de fabricación de
cualquier dispositivo electro-óptico.


Necesidades demandadas y aplicaciones

Ademas de la fabricación de emisores de luz y de fotodectores, es un equipo muy adecuado para su utilización en comunicaciones cuánticas en tanto que es capaz de fabricar las estructuras de emisores y detectores de luz imprescindiblesen este tipo de comunicaciones. En función del tipo de materiales que se emplean, su longitud de onda de aplicación se extiende en el IR-visible desde 620nm hasta 20 µm aproximadamente.


Sector o área de aplicación

Electrónica, Óptica, Optoelectrónica, Comunicaciones cuánticas.


Competencias diferenciales

La ventaja diferencial del crecimiento por MBE es que su resolución es de +/- 1 capa atómica (aproximadamente +/- 5 nm). Posee varios sistemas de monitorización de la calidad del material in-situ. Entre ellos es de destacar el RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) que permite analizar el frente de crecimiento del cristal mientras avanza y evaluar su calidad, velocidad de crecimiento y espesor, así como detectar la aparición de puntos cuánticos en la superficie.


Referencias previas de prestación

 


Dónde se ubica

ISOM. E.T.S.I.Telecomunicación


Solicitud del servicio

Protocolo de Acceso


Tarifas UPM
ConsultarCrecimiento de materiales semiconductores (III-V), grafeno, magnéticos
56,25Ingeniero de proceso (en caso de tener que modificar el proceso original por un nuevo proceso alternativo) (precio/hora)
37,50Operario (en caso de tener que repetir el proceso) (precio/hora)
Tarifas Externas
ConsultarCrecimiento de materiales semiconductores (III-V), grafeno, magnéticos
75,00Ingeniero de proceso (en caso de tener que modificar el proceso original por un nuevo proceso alternativo) (precio/hora)
50,00Operario (en caso de tener que repetir el proceso) (precio/hora)