Equipo de Epitaxia por Haces Moleculares (Molecular Beam Epitaxy) (MBE)
RIBER 32 para semiconductores basados en As-III
Con este equipo se pueden fabricar estructuras de capas de
semiconductores basados en arseniuros del grupo III [GaAs(N,Sb),
InGaAs(N,Sb), AlGaAs(N,Sb)], con resolución atómica (capas atómicas
individuales de distintos materiales) y con un control muy preciso de la
planicidad y el espesor. Esto permite fabricar dispositivos de pozos
cuánticos y puntos cuánticos.
Descripción de los servicios que se ofrecen
Este equipo permite desarrollar muchos dispositivos diferentes, desde
emisores de luz (LED, LÁSER, Emisores de un solo fotón), filtros,
moduladores, diodos, transistores o detectores de luz. Es el equipo
básico donde se fabrica el material que se emplea en el resto de los
procesos y por lo tanto es el inicio de toda la cadena de fabricación de
cualquier dispositivo electro-óptico.
Necesidades demandadas y aplicaciones
Ademas de la fabricación de emisores de luz y de fotodectores, es un equipo muy adecuado para su utilización en comunicaciones cuánticas en tanto que es capaz de fabricar las estructuras de emisores y detectores de luz imprescindiblesen este tipo de comunicaciones. En función del tipo de materiales que se emplean, su longitud de onda de aplicación se extiende en el IR-visible desde 620nm hasta 20 µm aproximadamente.
Sector o área de aplicación
Electrónica, Óptica, Optoelectrónica, Comunicaciones cuánticas.
Competencias diferenciales
La ventaja diferencial del crecimiento por MBE es que su resolución es de +/- 1 capa atómica (aproximadamente +/- 5 nm). Posee varios sistemas de monitorización de la calidad del material in-situ. Entre ellos es de destacar el RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) que permite analizar el frente de crecimiento del cristal mientras avanza y evaluar su calidad, velocidad de crecimiento y espesor, así como detectar la aparición de puntos cuánticos en la superficie.
Referencias previas de prestación
Dónde se ubica
ISOM. E.T.S.I.Telecomunicación