Ficha
METALIZADORA POR HAZ DE ELETRONES
Dónde:
Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM)
Ubicación:
Laboratorio del ISOM en la ETSI Telecomunicacion de Madrid, Avda. Complutense , Ciudad Universitaria Madrid 28040
Tipología:
Infraestructura Científica y Técnica Singular (ICTS)
Responsable: Javier Martinez Rodrigo
Correo electrónico:
Equipo de evaporación de metales por calentamiento mediante haz de electrones en alto vacío (metalizadora e-beam) controlado automáticamente por ordenador y equipada con fuente de haz de electrones y con múltiples crisoles, con una cámara de precarga (Load-Lock) ,Plan de Recuperacion,Transformacion y Resiliencia-Financiado por la Union Europea-NextGenaration EU
NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUCTORES, DEPOSITO DE METALES
El proceso de depósito de metales se puede clasificar ampliamente en depósito físico en fase de vapor (PVD) y depósito químico en fase de vapor (CVD).
La metalización por haz de electrones (EBPVD) tiene muchas ventajas sobre las anteriores técnicas descritas.
En primer lugar, la fuente de haz de electrones es capaz de calentar materiales a temperaturas mucho más altas de lo que es posible utilizando solamente una barquilla o un crisol resistivo (PVD). Esto permite tasas de depósito y metalización muy altas de materiales como tungsteno, tantalio o grafito.
En segundo lugar, las películas depositadas por evaporación con haz de electrones pueden mantener mejor la pureza del material de origen. El enfriamiento por agua del crisol limita estrechamente el calentamiento del haz de electrones solo al área ocupada por el material fuente, eliminando cualquier contaminación cruzada no deseada de los componentes vecinos.
Metalizaciones para proyectos de investigacion del ISOM y proyectos de ICTS
nanotecnologia
