Universidad
Politécnica de Madrid

La tecnología CMOS de silicio ha alcanzado altos niveles de integración y fiabilidad, gracias al escalado agresivo del transistor y BEOL. Sin embargo, las aplicaciones avanzadas de radiofrecuencia (RF), como las comunicaciones inalámbricas 5G-6G y los radares de automoción, exigen una electrónica que funcione también en bandas de microondas y milimétricas (3 GHz-300 GHz), lo que plantea serias exigencias a la electrónica que utilizan. La electrónica basada en semiconductores compuestos (III-V) ofrece mejores prestaciones en bandas milimétricas que el silicio, pero su coste es mucho mayor. Por este motivo, la integración heterogénea (heterointegración) de circuitos de RF de semiconductores III-V con circuitos de señal mixta basados en silicio es clave para satisfacer las demandas de sistemas electrónicos complejos y de alto rendimiento. Esta técnica proporciona beneficios como un ciclo de diseño más corto, menor riesgo de integración, reducción de costos y consumo de potencia, y mayor fiabilidad del sistema.

Con estos desafíos, se propone un título de experto modular donde el alumno pueda adquirir gran parte del abanico de conocimientos que demanda actualmente la industria en el ámbito del desarrollo de sistemas integrados monolíticos y heterointegrados de alto rendimiento. La visión del título está orientada a que los alumnos sean capaces de comprender todos los aspectos necesarios para especificar, desarrollar y evaluar un chiplet de alto rendimiento con heterointegración de bloques de radiofrecuencia y de señal mixta.

El objetivo principal del curso es capacitar a los alumnos para trabajar en el diseño de circuitos integrados de señal mixta y de radiofrecuencia, dotándoles de un conocimiento suficientemente profundo y práctico de todas las tecnologías implicadas.

• Conocer en profundidad los conceptos y principios de funcionamiento en que se basan las tecnologías de integración monolítica y encapsulado más modernas, así como las técnicas de conversión analógico-digital y el procesado de señal en circuitos integrados compactos.
• Conocer las técnicas de diseño y verificación de circuitos integrados en CMOS con arquitecturas escalables e interfaces para altas prestaciones.
• Conocer las técnicas de diseño y caracterización de circuitos integrados de radiofrecuencia en tecnología CMOS y de semiconductores III-V.
• Conocer a nivel de diseño y especificación de las técnicas más modernas de heterointegración de bloques de circuitos basados en distintas tecnologías o distintos fabricantes.
• Adquirir la capacidad y el conocimiento práctico necesario para integrar todas estas tecnologías en el desarrollo de un sistema en chip o módulo compacto basado en heterointegración.
• Trabajar con todas estas técnicas y tecnologías de manera práctica, realizando diseños con herramientas profesionales y medidas de diseños reales en laboratorio.