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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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Microscopy of Semiconducting Materials 2011 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Cambridge, United Kingdom |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00-0000-000-0 |
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DOI
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0000 |
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Fecha inicio congreso
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04/04/2011 |
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Fecha fin congreso
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07/04/2011 |
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Título de las actas
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STEM-HAADF-EELS and HRTEM assessment of cubic-hexagonal transitions and In-enrichment in InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy |