Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Sputter optimization of AlN on diamond substrates for high frequency SAW resonators
Año:2011
Áreas de investigación
  • Caracterizacion,
  • Sintesis
Datos
Descripción
The AlN/diamond structure is an attractive combination for SAW devices and its application at high frequencies. In this work, the synthesis of AlN thin films by reactive sputtering has been optimized on diamond substrates in order to process high frequency devices. Polished microcrystalline and as-grown nanocrystalline diamond substrates have been used to deposit AlN of different thickness under equal sputtering conditions. For the smoother substrates, the FWHM of the rocking curve of the (002) AlN peak varies from 3.8° to 2.7° with increasing power. SAW one port resonators have been fabricated on these films, whose electrical characterization (in terms of S11 parameters) is reported.
Internacional
No
Nombre congreso
8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Mallorca
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4244-7863-7
DOI
10.1109/SCED.2011.5744181
Fecha inicio congreso
09/02/2011
Fecha fin congreso
11/02/2011
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Título de las actas
Sputter optimization of AlN on diamond substrates for high frequency SAW resonators
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Juan Rodriguez Madrid UPM
  • Participante: Daniel Araujo Departamento de Ciencias de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cádiz, Campus Universitario Río S. Pedro, s/n, 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte UPM
  • Participante: María del Pilar Villar Departamento de Ciencias de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cádiz, Campus Universitario Río S. Pedro, s/n, 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Participante: Oliver A. Williams Institut für Angewandte Festkörperphysik, Fraunhofer Gesellschaft, 79108 Freiburg i. Br., Germany
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica