Artículos en revistas:
Effects of N2 plasma pre-treatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
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ISSN
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0018-9383 |
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Factor de impacto JCR
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2,165 |
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Información de impacto
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Volumen
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29 |
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DOI
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Número de revista
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3 |
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Desde la página
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209 |
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Hasta la página
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211 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A.F BRAÑA
- Autor: Fatima Romero Rojo UPM
- Autor: Fernando Calle Gomez UPM
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
- Autor: A. JIMENEZ
- Autor: Fernando González-Posada Flores UPM
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica