Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates
Año:2015

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APL MATERIALS
ISSN
2166-532X
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
3
DOI
10.1063/1.4914102
Número de revista
3
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: s. albert UPM
  • Autor: m. niehle
  • Autor: a. bengoechea-encabo UPM
  • Autor: e. calleja UPM
  • Autor: a. trampert

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología