Memorias de investigación
Tesis:
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Internacional
Si
ISBN
Tipo de Tesis
Doctoral
Calificación
Apto cum laude
Fecha
03/10/2014
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica