Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Gd2O3 gate dielectric for AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemicondu
Internacional
Si
Nombre congreso
22th European Workshop on Heterostructures Technology
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow (UK), 2013
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
09/09/2013
Fecha fin congreso
11/09/2013
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Título de las actas
Proceedings

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Veronica Gao Zhan UPM
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM
  • Autor: M.A Pampillon
  • Autor: E. San Andrés
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica