Artículos en revistas:
A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy
Año:2012
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| The composition,strainandsurfacemorphologyof(0001)InGaNlayersareinvestigatedasafunctionof growth temperature(460?645 1C) andimpingingInflux.Threedifferentgrowthregimes:nitrogen-rich, metal-richandintermediatemetal-rich,areclearlyidentifiedandfoundtobeincorrelationwith surface morphologyandstrainrelaxation. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Applied physics letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Zarko Gacevic Jovanovic UPM
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez UPM
- Autor: Noemi Garcia Lepetit UPM
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo UPM
- Autor: Sergio Fernandez Garrido UPM
- Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica