Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
On Surface trap and extended dislocation network in III-nitride Heterostructures
Año:2012

Áreas de investigación
  • Ingenierías

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
Internacional
Si
Nombre congreso
E-MRS, Symp. T ?Physics and Applications of Novel gain materials based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compound?,
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Strasburgo, Francia
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
14/05/2012
Fecha fin congreso
17/05/2012
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Título de las actas
Proceedings

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: S. Pandey
  • Autor: A Minj
  • Autor: et al

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica