Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Method of Channel Temperature and Thermal Resistance Extraction in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
9th Int Conf Nitride Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow (UK) 2011
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2011
Fecha fin congreso
15/07/2011
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero UPM
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica